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萊普科技驚艷亮相CSEAC2024
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淺結(jié)/超淺結(jié)
晶圓退火
| LA
淺結(jié)/超淺結(jié)晶圓退火
| LA
應(yīng)用領(lǐng)域
BSI-CCD晶圓低能注入離子激活
產(chǎn)品特點
國內(nèi)首創(chuàng),8寸量產(chǎn)設(shè)備
精確能量密度控制
紫外波段激光、穿透深度小
大長寬比線形平頂光斑
低擴散深度的超淺結(jié)深控制工藝技術(shù)
型號
LA2518UV
晶圓尺寸
6寸、8寸
結(jié)深
≤50nm
雜質(zhì)峰值擴散深度
≤5nm
RS不均勻性
<2%(片內(nèi)/片間)
產(chǎn)品及應(yīng)用
晶圓制造
IGBT
晶圓激光退火
| LA
激光誘導(dǎo)結(jié)晶設(shè)備
| LIC
淺結(jié)/超淺結(jié)晶圓退火
| LA
SiC
晶圓激光退火
| LA
激光誘導(dǎo)外延生長設(shè)備
| LIEG
晶圓激光標(biāo)刻機
| WLM
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